產(chǎn)品目錄 / Product catalog
CVD管式爐系統沉積效率高
更新時(shí)間：2024-03-29 點(diǎn)擊次數：4834
CVD管式爐廣泛適用于高、中、低溫CVD工藝，例如：碳納米管的研制、晶體硅基板鍍膜、納米氧化鋅結構的可控生長(cháng)等等；也可適用于金屬材料的擴展焊接以及真空或保護氣氛下熱處理。專(zhuān)門(mén)設計用于高溫材料沉積之用。具有溫度均勻、控制穩定、溫區間溫度擾動(dòng)小、升溫速度快、節能、使用溫度高、壽命長(cháng)等特點(diǎn)，是理想的科研設備。
系統設備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據用戶(hù)需要設計生產(chǎn)，CVD系統除了主要應用在碳納米材料制備行業(yè)外，現在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學(xué)、半導體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域。CVD成長(cháng)系統是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學(xué)反應，從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統。
CVD管式爐系統產(chǎn)品的特點(diǎn)有以下幾點(diǎn)：
1、CVD系統沉積效率高;薄膜的成分可控，配比范圍大;厚度范圍廣，由幾百埃至數毫米，可以實(shí)現厚膜沉積且能大量生產(chǎn)；
2、CVD系統可以制備高質(zhì)量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達數厘米，研究動(dòng)力學(xué)過(guò)程；
3、CVD系統兼容、常壓、微正壓多種主流的生長(cháng)模式；
4、CVD系統可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進(jìn)行石墨烯的生長(cháng)；
5、CVD系統使用計算機控制，可以設置多種生長(cháng)參數。
